DTA114GUA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DTA114GUA
Маркировка: K14
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: SOT-323
Аналоги (замена) для DTA114GUA
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTA114GUA даташит
dta114gua.pdf
DTA114G series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value UMT3 SMT3 VCEO -50V IC -100mA R 10k DTA114GUA DTA114GKA SOT-323(SC-70) SOT-346(SC-59) lFeatures lInner circuit l l 1) Built-In Biasing R
ddta114gua.pdf
DDTA (R2-ONLY SERIES) E DDTA (R2-ONLY SERIES) E PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A Complementary NPN Types Available (DDTC) Built-In Biasing Resistor, R2 only C SOT-523 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) "Green" Device (Note 3 and 4) Dim Min Max Typ B C TOP VIEW A 0.15 0.30 0.22 B Mechan
chdta114gugp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTA114GUGP SURFACE MOUNT PNP Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE SC-70/SOT-323 * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation
dta114ge.pdf
-100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistor) DTA114GUA / DTA114GKA Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver 2.0 0.9 DTA114GUA 0.3 0.2 0.7 (3) Features 1)The built-in bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input, and (2) (1) parasitic effects are almost completely
Другие транзисторы: DTA114EET1G, DTA114EKAFRA, DTA114EM3, DTA114EM3T5G, DTA114EMFHA, DTA114EN3, DTA114ES3, DTA114EUAFRA, A1941, DTA114TEB, DTA114TEFRA, DTA114TET1G, DTA114TKAFRA, DTA114TM3, DTA114TM3T5G, DTA114TMFHA, DTA114TN3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z










