Справочник транзисторов. DTA114TEFRA

 

Биполярный транзистор DTA114TEFRA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTA114TEFRA
   Маркировка: 94
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-416
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

DTA114TEFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1464K  rohm
dta114teb dta114tefra dta114tkafra dta114tmfha dta114tuafra dta114tub.pdfpdf_icon

DTA114TEFRA

DTA114T seriesDatasheetPNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter Value VMT3 EMT3FVCEO-50VIC-100mA R110kDTA114TM DTA114TEB(SC-105AA) (SC-89) EMT3 UMT3FlFeaturesl1) Built-In Biasing Resistor 2) Built-in bias resistors enable the configuration of DTA114TE DTA114TUB

 6.1. Size:29K  motorola
pdta114te sot416.pdfpdf_icon

DTA114TEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA114TEPNP resistor-equipped transistorPreliminary specification 1998 Jul 23Supersedes data of 1997 Jul 14File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114TEFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k) Simplification of circuit design R

 6.2. Size:52K  motorola
pdta114te 2.pdfpdf_icon

DTA114TEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA114TEPNP resistor-equipped transistorPreliminary specification 1998 Jul 23Supersedes data of 1997 Jul 14File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114TEFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k) Simplification of circuit design R

 6.3. Size:52K  philips
pdta114te 2.pdfpdf_icon

DTA114TEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA114TEPNP resistor-equipped transistorPreliminary specification 1998 Jul 23Supersedes data of 1997 Jul 14File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114TEFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k) Simplification of circuit design R

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BDY81C | BC232B | 2N233A | 2N964 | 2SD468C | 2SC3443 | 2SC1103A

 

 
Back to Top

 


 
.