DTA114YUAFRA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DTA114YUAFRA
Маркировка: 54
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68
Корпус транзистора: SOT-323
Аналоги (замена) для DTA114YUAFRA
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTA114YUAFRA даташит
dta114yefra dta114ykafra dta114yuafra.pdf
DTA114Y series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 10k DTA114YM DTA114YEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 47k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors 2) Built-in bias resistors enable the configuration of DTA114YE DTA
dta114y dta114yka dta114yua.pdf
DTA114Y series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Outline VMT3 EMT3F Parameter Value OUT OUT VCC 50V IN IN IC(MAX.) 100mA GND GND R1 10k DTA114YM DTA114YEB R2 47k (SC-105AA) (SC-89) EMT3 UMT3F OUT Features OUT IN 1) Built-In Biasing Resistors IN GND GND 2) Built-in bias resistors enable the configura
ddta114yua.pdf
DDTA (R1 R2 SERIES) UA PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction SOT-323 A Complementary NPN Types Available (DDTC) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors, R1 R2 A 0.25 0.40 Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) B 1.15 1.35 "Green" Device (Note 2 & 3) B C C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 No
dta114yca dta114ye dta114ysa dta114yua.pdf
DTA114YE/DTA114YUA/DTA114YKA /DTA114YSA/DTA114YCA TRANSISTOR(PNP) FEATURES 1. Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors(see equivalent circuit). 2. The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input.They also have the advantage of almost completely
Другие транзисторы: DTA114YEFRA, DTA114YET1G, DTA114YKAFRA, DTA114YM3, DTA114YM3T5G, DTA114YMFHA, DTA114YN3, DTA114YS3, BD135, DTA115EEFRA, DTA115EET1G, DTA115EKAFRA, DTA115EM3, DTA115EM3T5G, DTA115EMFHA, DTA115EN3, DTA115EUAFRA
History: RT2P04M
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent




