DTA114YUAFRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTA114YUAFRA

Маркировка: 54

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для DTA114YUAFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA114YUAFRA даташит

 ..1. Size:1538K  rohm
dta114yefra dta114ykafra dta114yuafra.pdfpdf_icon

DTA114YUAFRA

DTA114Y series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 10k DTA114YM DTA114YEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 47k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors 2) Built-in bias resistors enable the configuration of DTA114YE DTA

 5.1. Size:477K  rohm
dta114y dta114yka dta114yua.pdfpdf_icon

DTA114YUAFRA

DTA114Y series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Outline VMT3 EMT3F Parameter Value OUT OUT VCC 50V IN IN IC(MAX.) 100mA GND GND R1 10k DTA114YM DTA114YEB R2 47k (SC-105AA) (SC-89) EMT3 UMT3F OUT Features OUT IN 1) Built-In Biasing Resistors IN GND GND 2) Built-in bias resistors enable the configura

 5.2. Size:188K  diodes
ddta114yua.pdfpdf_icon

DTA114YUAFRA

DDTA (R1 R2 SERIES) UA PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction SOT-323 A Complementary NPN Types Available (DDTC) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors, R1 R2 A 0.25 0.40 Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) B 1.15 1.35 "Green" Device (Note 2 & 3) B C C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 No

 5.3. Size:493K  htsemi
dta114yca dta114ye dta114ysa dta114yua.pdfpdf_icon

DTA114YUAFRA

DTA114YE/DTA114YUA/DTA114YKA /DTA114YSA/DTA114YCA TRANSISTOR(PNP) FEATURES 1. Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors(see equivalent circuit). 2. The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input.They also have the advantage of almost completely

Другие транзисторы: DTA114YEFRA, DTA114YET1G, DTA114YKAFRA, DTA114YM3, DTA114YM3T5G, DTA114YMFHA, DTA114YN3, DTA114YS3, BD135, DTA115EEFRA, DTA115EET1G, DTA115EKAFRA, DTA115EM3, DTA115EM3T5G, DTA115EMFHA, DTA115EN3, DTA115EUAFRA