DTA115EEFRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTA115EEFRA

Маркировка: 19

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SOT-416

 Аналоги (замена) для DTA115EEFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA115EEFRA даташит

 ..1. Size:1385K  rohm
dta115eefra dta115ekafra dta115emfha dta115euafra.pdfpdf_icon

DTA115EEFRA

DTA115E series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 100k DTA115EM DTA115EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 100k EMT3 UMT3 lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 100k 2) Built-in bias resistors enable the configuratio

 5.1. Size:417K  nxp
pdta115ee pdta115eef pdta115ek pdta115em pdta115es pdta115et pdta115eu.pdfpdf_icon

DTA115EEFRA

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 5.2. Size:139K  nxp
pdta115eef pdta115ek pdta115es.pdfpdf_icon

DTA115EEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTA115E series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Jul 30 Supersedes data of 2004 May 05 NXP Semiconductors Product data sheet PNP resistor-equipped transistors; PDTA115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 6.1. Size:156K  rohm
dta115eeb.pdfpdf_icon

DTA115EEFRA

100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTA115EEB Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver EMT3F Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of (3) an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) Each bias resistor is a thin-film resistor. Since they are completely in

Другие транзисторы: DTA114YET1G, DTA114YKAFRA, DTA114YM3, DTA114YM3T5G, DTA114YMFHA, DTA114YN3, DTA114YS3, DTA114YUAFRA, 8050, DTA115EET1G, DTA115EKAFRA, DTA115EM3, DTA115EM3T5G, DTA115EMFHA, DTA115EN3, DTA115EUAFRA, DTA115TET1G