DTA115EEFRA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DTA115EEFRA
Маркировка: 19
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82
Корпус транзистора: SOT-416
Аналоги (замена) для DTA115EEFRA
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTA115EEFRA даташит
dta115eefra dta115ekafra dta115emfha dta115euafra.pdf
DTA115E series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 100k DTA115EM DTA115EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 100k EMT3 UMT3 lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 100k 2) Built-in bias resistors enable the configuratio
pdta115ee pdta115eef pdta115ek pdta115em pdta115es pdta115et pdta115eu.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pdta115eef pdta115ek pdta115es.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTA115E series PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Jul 30 Supersedes data of 2004 May 05 NXP Semiconductors Product data sheet PNP resistor-equipped transistors; PDTA115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI
dta115eeb.pdf
100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTA115EEB Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver EMT3F Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of (3) an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) Each bias resistor is a thin-film resistor. Since they are completely in
Другие транзисторы: DTA114YET1G, DTA114YKAFRA, DTA114YM3, DTA114YM3T5G, DTA114YMFHA, DTA114YN3, DTA114YS3, DTA114YUAFRA, 8050, DTA115EET1G, DTA115EKAFRA, DTA115EM3, DTA115EM3T5G, DTA115EMFHA, DTA115EN3, DTA115EUAFRA, DTA115TET1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout












