DTA115EUAFRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTA115EUAFRA

Маркировка: 19

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для DTA115EUAFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA115EUAFRA даташит

 ..1. Size:1385K  rohm
 dta115eefra dta115ekafra dta115emfha dta115euafra.pdf pdf_icon

DTA115EUAFRA

DTA115E series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 100k DTA115EM DTA115EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 100k EMT3 UMT3 lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 100k 2) Built-in bias resistors enable the configuratio

 5.1. Size:67K  rohm
 dta115esa dta115eua.pdf pdf_icon

DTA115EUAFRA

DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA Transistors DTA115EKA / DTA115ESA Digital transistors (built-in resistors) DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA / DTA115EKA / DTA115ESA Equivalent circuit Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input R1 OUT IN resistors (see equivalent circuit). R2 2) The bias resistors c

 5.2. Size:1291K  rohm
 dta115em dta115eeb dta115ee dta115eub dta115eua dta115eka.pdf pdf_icon

DTA115EUAFRA

DTA115E series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) lOutline l Parameter Value SOT-723 SOT-416FL VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 100k DTA115EM DTA115EEB R2 (VMT3) (EMT3F) 100k SOT-416 SOT-323FL lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 100k 2) Built-in bias resistors enable the con

 5.3. Size:175K  diodes
 ddta115eua.pdf pdf_icon

DTA115EUAFRA

DDTA (R1 = R2 SERIES) UA PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features A Epitaxial Planar Die Construction SOT-323 Complementary NPN Types Available (DDTC) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 A 0.25 0.40 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) B C B 1.15 1.35 "Green" Device, Note 3 and 4 C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 N

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DTA114YUAFRA, DTA115EEFRA, DTA115EET1G, DTA115EKAFRA, DTA115EM3, DTA115EM3T5G, DTA115EMFHA, DTA115EN3, SS8050, DTA115TET1G, DTA115TM3, DTA115TM3T5G, DTA123EEFRA, DTA123EET1G, DTA123EKAFRA, DTA123EM3, DTA123EM3T5G