DTB113ZS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTB113ZS

Маркировка: G11

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SC-72

 Аналоги (замена) для DTB113ZS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTB113ZS даташит

 ..1. Size:59K  rohm
dtb113zs.pdfpdf_icon

DTB113ZS

DTB113ZK / DTB113ZS Transistors Digital transistors (built-in resistors) DTB113ZK / DTB113ZS Feature External dimensions (Unit mm) 1) Built-in bias resistors enable the + 2.9 0.2 - DTB113ZK 1.1+0.2 configuration of an inverter circuit + -0.1 1.9 0.2 - + 0.8 0.1 without connecting external input 0.95 0.95 - resistors (see equivalent circuit). (1) (2) 0 0.1 2)

 7.1. Size:118K  nxp
pdtb113z.pdfpdf_icon

DTB113ZS

PDTB113Z series PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k , R2 = 10 k Rev. 02 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 mA PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package NPN complement NXP JEITA JEDEC PDTB113ZK SOT346 SC-59A TO-236 PDTD113ZK PDTB113ZS[1] SOT54 SC-43A TO-92 PD

 7.2. Size:156K  rohm
dtb113zk.pdfpdf_icon

DTB113ZS

-500mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) DTB113ZK Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver 2.9 1.1 DTB113ZK 0.4 0.8 Feature 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an (3) inverter circuit without connecting external input esistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin-film resistors wi

 7.3. Size:165K  diodes
ddtb113zu.pdfpdf_icon

DTB113ZS

DDTB (xxxx) U DDTB (xxxx) U PNP PRE-BIASED 500 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction SOT-323 A Complementary NPN Types Available (DDTD) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors, R1, R2 A 0.25 0.40 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) B 1.15 1.35 "Green" Device (Note 3 and 4) B C C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 Nom

Другие транзисторы: DTA144TN3, DTA144TUAFRA, DTA144WA3, DTA144WET1G, DTA144WM3, DTA144WM3T5G, DTA144WN3S, DTB113ZCA, 2SC2655, DTB114EN3, DTB114GK, DTB114TK, DTB123TK, DTB143TK, DTC013ZEB, DTC013ZM, DTC013ZUB