DTC024XEB. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DTC024XEB
Маркировка: 69
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Корпус транзистора: SC-89
Аналоги (замена) для DTC024XEB
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTC024XEB даташит
dtc024xeb dtc024xm dtc024xub.pdf
DTC024X series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 22k DTC024XM DTC024XEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 47k UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = 22k ,
dtc024eeb.pdf
100mA/50V Digital transistors(with built-in resistors) DTC024EM / DTC024EEB / DTC024EUB Features Dimensions (Unit mm) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of VMT3 an inverter circuit without connecting external input resistors. (See equivalent circuit) 2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing o
dtc023jeb.pdf
100mA/50V Digital transistors(with built-in resistors) DTC023JM / DTC023JEB / DTC023JUB Features Dimensions (Unit mm) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of VMT3 an inverter circuit without connecting external input resistors. (See equivalent circuit) 2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the inp
dtc023yeb dtc023ym dtc023yub.pdf
DTC023Y series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline VMT3 EMT3F Parameter Value OUT OUT VCC 50V IN IN IC(MAX.) 100mA GND GND R1 2.2kW DTC023YM DTC023YEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 10kW UMT3F OUT lFeatures IN 1) Built-In Biasing Resistors. GND 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter
Другие транзисторы: DTC013ZM, DTC013ZUB, DTC014TEB, DTC014TM, DTC014TUB, DTC015TEB, DTC015TM, DTC015TUB, BC639, DTC024XM, DTC024XUB, DTC043TEB, DTC043TM, DTC043TUB, DTC043XEB, DTC043XM, DTC043XUB
History: FX2368 | 2SC5237 | DTC024XUB | LDTC123EM3T5G | FMMT455 | 2SC3591 | BCW89R
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106





