DTC114EKAFRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC114EKAFRA

Маркировка: 24

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT-346

 Аналоги (замена) для DTC114EKAFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC114EKAFRA даташит

 ..1. Size:1522K  rohm
 dtc114eefra dtc114ekafra dtc114emfha dtc114euafra.pdf pdf_icon

DTC114EKAFRA

DTC114E series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 10k DTC114EM DTC114EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 10k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10k 2) Built-in bias resistors enable the configuration of

 5.1. Size:1523K  rohm
 dtc114eka.pdf pdf_icon

DTC114EKAFRA

DTC114E series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 10k DTC114EM DTC114EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 10k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10k 2) Built-in bias resistors enable the configuration of

 5.2. Size:178K  diodes
 ddtc114eka.pdf pdf_icon

DTC114EKAFRA

DDTC (R1 = R2 SERIES) KA NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A SC-59 Complementary PNP Types Available (DDTA) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 A 0.35 0.50 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) "Green" Device, Note 3 and 4 B C B 1.50 1.70 C 2.70 3.00 D 0.95 Mechanical Data G G

 6.1. Size:57K  motorola
 pdtc114ek 3.pdf pdf_icon

DTC114EKAFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D114 PDTC114EK NPN resistor-equipped transistor 1998 Nov 26 Product specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114EK FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplification of circuit design 3 Reduces number

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DTC113ZS3, DTC113ZUAFRA, DTC113ZVA, DTC114EA3, DTC114EB3, DTC114EC3, DTC114EEFRA, DTC114EET1G, 2N2222, DTC114EM3, DTC114EM3T5G, DTC114EMFHA, DTC114EN3, DTC114ES3, DTC114EUAFRA, DTC114EY3, DTC114TEB