DTC115EC3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC115EC3

Маркировка: 29

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SOT-523

 Аналоги (замена) для DTC115EC3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC115EC3 даташит

 ..1. Size:378K  cystek
dtc115ec3.pdfpdf_icon

DTC115EC3

Spec. No. C356C3 Issued Date 2011.11.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.04 Page No. 1/6 NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) DTC115EC3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors w

 6.1. Size:995K  rohm
dtc115eca.pdfpdf_icon

DTC115EC3

DTC115ECA Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) lOutline l Parameter Value SOT-23 VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 100k R2 (SST3) 100k lFeatures lInner circuit l l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 100k 2) Built-in bias resistors enable th

 6.2. Size:99K  diodes
ddtc123eca ddtc143eca ddtc114eca ddtc124eca ddtc144eca ddtc115eca.pdfpdf_icon

DTC115EC3

DDTC(R1 = R2 SERIES) CA NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case SOT23 Complementary PNP Types Available (DDTA) Case material Molded Plastic. Green Molding Compound. Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 Classification Rating 94V-0 Totally Lead-Free & Fully RoHS complia

 7.1. Size:182K  philips
pdtc115e series.pdfpdf_icon

DTC115EC3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

Другие транзисторы: DTC114YET1G, DTC114YKAFRA, DTC114YM3, DTC114YM3T5G, DTC114YMFHA, DTC114YN3, DTC114YS3, DTC114YUAFRA, A733, DTC115EEFRA, DTC115EET1G, DTC115EKAFRA, DTC115EM3, DTC115EM3T5G, DTC115EMFHA, DTC115EN3, DTC115EUAFRA