Справочник транзисторов. 2SA1015LG

 

Биполярный транзистор 2SA1015LG - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SA1015LG
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SA1015LG

 

 

2SA1015LG Datasheet (PDF)

 6.1. Size:228K  toshiba
2sa1015l.pdf

2SA1015LG
2SA1015LG

2SA1015(L) TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1015(L) Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Low Noise Amplifier Applications High voltage and high current: VCEO = -50 V (min), I = -150 mA (max) C Excellent h linearity: h (2) = 80 (typ.) at V = -6 V, I = -150 mA FE FE CE C: hFE (IC = -0.1 mA)/hFE (IC = -2 mA) = 0.95 (typ.)

 6.2. Size:151K  semtech
2sa1015o 2sa1015y 2sa1015g 2sa1015l.pdf

2SA1015LG
2SA1015LG

2SA1015 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into three groups, O, Y and G, L , according to its DC current gain. As complementary type the NPN transistor 2SC1815 is recommended. 1. Emitter 2. Collector 3. Base TO-92 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit

 6.3. Size:145K  china
2sa1015lt1.pdf

2SA1015LG
2SA1015LG

SEMICONDUCTOR 2SA1015LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package:SOT-23 * Complement to 2SC1815 * Collector Current : Ic=150mA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo -60 V Collector-Emitter Voltage Vceo -50 V PIN: 1 2 3Emitter-Base Voltage Vebo -5 V

 6.4. Size:545K  umw-ic
2sa1015l 2sa1015h.pdf

2SA1015LG
2SA1015LG

RUMW UMW 2SA1015 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSI STOR (PNP)2SA1015MARKING: Equivalent Circuit:SOT-231.BASE2.EMITTER3.COLLECTORFEATURES: High voltage and high current Excellent hFE Linearity Complementary to C1815 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emit

Другие транзисторы... 2SA1012O , 2SA1012Y , 2SA1013 , 2SA1013O , 2SA1013R , 2SA1014 , 2SA1015 , 2SA1015L , TIP36C , 2SA1015LO , 2SA1015LY , 2SA1016 , 2SA1016F , 2SA1016G , 2SA1016H , 2SA1016K , 2SA1016KF .

 

 
Back to Top