DTC115EKAFRA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DTC115EKAFRA
Маркировка: 29
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82
Корпус транзистора: SOT-346
Аналоги (замена) для DTC115EKAFRA
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTC115EKAFRA даташит
dtc115eefra dtc115ekafra dtc115emfha dtc115euafra.pdf
DTC115E series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 100k DTC115EM DTC115EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 100k EMT3 UMT3 lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 100k 2) Built-in bias resistors enable the configuration of
dtc115eka dtc115esa dtc115eua.pdf
DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA Transistors DTC115EKA / DTC115ESA Digital transistors (built-in resistors) DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA DTC115EKA / DTC115ESA Equivalent circuit Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit R1 OUT without connecting external input resistors (see the equivalent IN circuit). R2 2) The bias resistors consist o
ddtc115eka.pdf
DDTC (R1 = R2 SERIES) KA NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A SC-59 Complementary PNP Types Available (DDTA) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 A 0.35 0.50 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) "Green" Device, Note 3 and 4 B C B 1.50 1.70 C 2.70 3.00 D 0.95 Mechanical Data G G
pdtc115eef pdtc115ek pdtc115es.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI
Другие транзисторы: DTC114YM3T5G, DTC114YMFHA, DTC114YN3, DTC114YS3, DTC114YUAFRA, DTC115EC3, DTC115EEFRA, DTC115EET1G, MJE340, DTC115EM3, DTC115EM3T5G, DTC115EMFHA, DTC115EN3, DTC115EUAFRA, DTC115EY3, DTC115TC3, DTC115TE
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor





