DTC115EKAFRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC115EKAFRA

Маркировка: 29

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SOT-346

 Аналоги (замена) для DTC115EKAFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC115EKAFRA даташит

 ..1. Size:1384K  rohm
dtc115eefra dtc115ekafra dtc115emfha dtc115euafra.pdfpdf_icon

DTC115EKAFRA

DTC115E series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 100k DTC115EM DTC115EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 100k EMT3 UMT3 lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 100k 2) Built-in bias resistors enable the configuration of

 5.1. Size:70K  rohm
dtc115eka dtc115esa dtc115eua.pdfpdf_icon

DTC115EKAFRA

DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA Transistors DTC115EKA / DTC115ESA Digital transistors (built-in resistors) DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA DTC115EKA / DTC115ESA Equivalent circuit Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit R1 OUT without connecting external input resistors (see the equivalent IN circuit). R2 2) The bias resistors consist o

 5.2. Size:178K  diodes
ddtc115eka.pdfpdf_icon

DTC115EKAFRA

DDTC (R1 = R2 SERIES) KA NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A SC-59 Complementary PNP Types Available (DDTA) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 A 0.35 0.50 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) "Green" Device, Note 3 and 4 B C B 1.50 1.70 C 2.70 3.00 D 0.95 Mechanical Data G G

 6.1. Size:138K  nxp
pdtc115eef pdtc115ek pdtc115es.pdfpdf_icon

DTC115EKAFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

Другие транзисторы: DTC114YM3T5G, DTC114YMFHA, DTC114YN3, DTC114YS3, DTC114YUAFRA, DTC115EC3, DTC115EEFRA, DTC115EET1G, MJE340, DTC115EM3, DTC115EM3T5G, DTC115EMFHA, DTC115EN3, DTC115EUAFRA, DTC115EY3, DTC115TC3, DTC115TE