DTC115EN3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC115EN3

Маркировка: 29

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для DTC115EN3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC115EN3 даташит

 ..1. Size:181K  cystek
dtc115en3.pdfpdf_icon

DTC115EN3

Spec. No. C356N3 Issued Date 2004.02.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2007.07.12 Page No. 1/4 NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) DTC115EN3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors wi

 7.1. Size:182K  philips
pdtc115e series.pdfpdf_icon

DTC115EN3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 7.2. Size:138K  nxp
pdtc115eef pdtc115ek pdtc115es.pdfpdf_icon

DTC115EN3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 7.3. Size:70K  rohm
dtc115eka dtc115esa dtc115eua.pdfpdf_icon

DTC115EN3

DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA Transistors DTC115EKA / DTC115ESA Digital transistors (built-in resistors) DTC115EM / DTC115EE / DTC115EUA DTC115EKA / DTC115ESA Equivalent circuit Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit R1 OUT without connecting external input resistors (see the equivalent IN circuit). R2 2) The bias resistors consist o

Другие транзисторы: DTC114YUAFRA, DTC115EC3, DTC115EEFRA, DTC115EET1G, DTC115EKAFRA, DTC115EM3, DTC115EM3T5G, DTC115EMFHA, B772, DTC115EUAFRA, DTC115EY3, DTC115TC3, DTC115TE, DTC115TET1G, DTC115TM, DTC123JEFRA, DTC123JET1G