Биполярный транзистор DTC123TKA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DTC123TKA
Маркировка: `02
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-346
Аналоги (замена) для DTC123TKA
DTC123TKA Datasheet (PDF)
dtc123tka.pdf
DTC123TKADatasheetNPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter Value SMT3VCEO50VIC100mA R12.2kSOT-346(SC-59) lFeatures lInner circuitl l1) Built-In Biasing Resistor2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inve
dta113tka dtc123tka.pdf
DTA113TKATransistorsTransistorsDTC123TKA(SPEC-A113T)(SPEC-C123T)467
ddtc113tka ddtc123tka ddtc143tka ddtc114tka ddtc124tka ddtc144tka ddtc115tka ddtc125tka.pdf
DDTC (R1-ONLY SERIES) KA NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A SC-59 Complementary PNP Types Available (DDTA) CDim Min Max Built-In Biasing Resistor, R1 only A 0.35 0.50 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) B CB 1.50 1.70 "Green" Device, Note 3 and 4 C 2.70 3.00 Mechanical Data EBD 0.9
pdtc123tk pdtc123ts pdtc123t ser.pdf
PDTC123T seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = openRev. 01 10 March 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family in Surface Mounted Device (SMD)plastic packages.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementPhilips JEITA JEDECPDTC123TE SOT416 SC-75 - PDTA123TEPDTC123TK
chdtc123tkgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTC123TKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050