DTC123YEFRA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DTC123YEFRA
Маркировка: 62
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 33
Корпус транзистора: SOT-416
Аналоги (замена) для DTC123YEFRA
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTC123YEFRA даташит
dtc123yefra dtc123ykafra dtc123yuafra.pdf
DTC123Y series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline l Parameter Value EMT3 UMT3 VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 2.2k DTC123YEFRA DTC123YUAFRA DTC123YE DTC123YUA R2 SOT-416(SC-75A) SOT-323(SC-70) 10k SMT3 lFeatures l 1) Built-In
dtc123ye.pdf
DTC123Y series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT3 UMT3 Parameter Value OUT OUT VCC 50V IN IN IC(MAX.) 100mA GND GND R1 2.2kW DTC123YE DTC123YUA R2 SOT-416 (SC-75A) 10kW SOT-323 (SC-70) SMT3 lFeatures OUT 1) Built-In Biasing Resistors IN 2) Built-in bias resistors enable the configuration of GND
dtc123ye-yua-yka 62 sot416 323 346.pdf
Transistors Digital transistors (built-in resistors) DTC123YE / DTC123YUA / DTC123YKA DTC123YSA FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin- film resistors with complete isola- tion to allow negative bias
ddtc123ye.pdf
DDTC (R1 R2 SERIES) E NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A SOT-523 Complementary PNP Types Available (DDTA) Built-In Biasing Resistors, R1 R2 Dim Min Max Typ Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) B C A 0.15 0.30 0.22 TOP VIEW "Green" Device (Note 3 and 4) B 0.75 0.85 0.80 C 1.45 1.75 1.60
Другие транзисторы: DTC123JN3, DTC123JUAFRA, DTC123TE, DTC123TET1G, DTC123TKA, DTC123TM3, DTC123TM3T5G, DTC123TN3, 2SC2655, DTC123YKAFRA, DTC123YN3, DTC123YS3, DTC123YUAFRA, DTC124EC3, DTC124EEFRA, DTC124EET1G, DTC124EKAFRA
History: DTA114EB3 | BULD118D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet







