DTC124XEFRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC124XEFRA

Маркировка: 45

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SOT-416

 Аналоги (замена) для DTC124XEFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC124XEFRA даташит

 ..1. Size:2061K  rohm
 dtc124xefra dtc124xkafra dtc124xmfha dtc124xuafra.pdf pdf_icon

DTC124XEFRA

DTC124X series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3 VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 22k DTC124XMFHA DTC124XEFRA DTC124XM DTC124XE R2 (SC-105AA) SOT-416(SC-75A) 47k UMT3 SMT3 lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors 2) Built-in bias re

 5.1. Size:54K  motorola
 pdtc124xef 2.pdf pdf_icon

DTC124XEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC124XEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124XEF FEATURES Power dissipation comparable to SOT23 Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) 3 ha

 5.2. Size:54K  philips
 pdtc124xef 2.pdf pdf_icon

DTC124XEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC124XEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124XEF FEATURES Power dissipation comparable to SOT23 Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) 3 ha

 5.3. Size:138K  nxp
 pdtc124xef pdtc124xk pdtc124xs.pdf pdf_icon

DTC124XEFRA

PDTC124X series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k , R2 = 47 k Rev. 07 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA JEDEC PDTC124XE SOT416 SC-75 - PDTA124XE PDTC124XEF SOT490 SC-89 - PDTA124XEF PDTC124XK SOT346 SC-59

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DTC124EUAFRA, DTC124TCA, DTC124TE, DTC124TEFRA, DTC124TKAFRA, DTC124TM, DTC124TMFHA, DTC124TUAFRA, 2SC828, DTC124XET1G, DTC124XKAFRA, DTC124XM3, DTC124XM3T5G, DTC124XMFHA, DTC124XN3, DTC124XS3, DTC124XUAFRA