Биполярный транзистор DTC143TS3 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: DTC143TS3
Маркировка: 8F
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-323
- подбор биполярного транзистора по параметрам
DTC143TS3 Datasheet (PDF)
dtc143ts3.pdf

Spec. No. : C369S3 Issued Date : 2002.06.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2002. 11.02 Page No. : 1/3 General Purpose NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) DTC143TS3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-
pdtc143tef pdtc143tk pdtc143ts.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC143T seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = openProduct data sheet 2004 Aug 06Supersedes data of 2004 Apr 06NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC143T seriesR1 = 4.7 k, R2 = openFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
dtc143tsa dtc143tseries.pdf

DTC143TE / DTC143TUA DTC143TCA / DTC143TSA / DTC143TM NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES DTC143TE (SOT-523) DTC143TUA (SOT-323) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equival
dtc143tsa.pdf

DTC143TSANPN DIGITAL TRANSISTORP b Lead(Pb)-FreeFeatures:1 2 3 without connecting external input resistors(see equivalent circuit).(1)GND (2)OUT (3)IN to allow negative biasing of the input.They also have the advantage Equivalent Circuit device design easy.Absolute maximum ratings(Ta=25) Parameter Symbol Value Unit Collector-base voltage V(BR)CBO 50 VCollector-emi
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: DTD113Z | 2N752 | 2SD393 | ESM2894 | 2SD1074 | BF460EA | BU931ZP
History: DTD113Z | 2N752 | 2SD393 | ESM2894 | 2SD1074 | BF460EA | BU931ZP



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566