DTC144EEFRA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTC144EEFRA

Маркировка: 26

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC-105AA

 Аналоги (замена) для DTC144EEFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC144EEFRA даташит

 ..1. Size:1514K  rohm
dtc144eefra dtc144ekafra dtc144emfha dtc144euafra.pdfpdf_icon

DTC144EEFRA

DTC144E series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 47k DTC144EM DTC144EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 47k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 47k 2) Built-in bias resistors enable the configuration of

 5.1. Size:54K  motorola
pdtc144eef 1.pdfpdf_icon

DTC144EEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC144EEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification of circuit design 3 handbook, halfpage 3 R1 Reduces number of components

 5.2. Size:54K  philips
pdtc144eef 1.pdfpdf_icon

DTC144EEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC144EEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification of circuit design 3 handbook, halfpage 3 R1 Reduces number of components

 6.1. Size:56K  motorola
pdtc144ee 2.pdfpdf_icon

DTC144EEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC144EE NPN resistor-equipped transistor 1998 Jul 16 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification of circuit design

Другие транзисторы: DTC143ZKAFRA, DTC143ZM3, DTC143ZM3T5G, DTC143ZMFHA, DTC143ZN3, DTC143ZS3, DTC143ZUAFRA, DTC144EC3, 2SD1047, DTC144EET1G, DTC144EKAFRA, DTC144TEFRA, DTC144TET1G, DTC144TKAFRA, DTC144TM3, DTC144TM3T5G, DTC144TMFHA