Биполярный транзистор DTC643TU - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DTC643TU
Маркировка: R03
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 820
Корпус транзистора: UMT3
DTC643TU Datasheet (PDF)
dtc643tu.pdf
DTC643TU / DTC643TK Transistors Digital transistors (built-in resistor) DTC643TU / DTC643TK External dimensions (Unit : mm) Features In addition to the features of regular digital transistors. 2.00.2UMT31) Low saturation voltage, typically 1.30.1 0.90.10.65 0.65VCE (sat) =40mV at IC / IB=50mA / 2.5mA, makes these 0.2 0.70.1(1) (2)transistors ideal
chdtc643tugp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTC643TUGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 20 Volts CURRENT 600 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURESC-70/SOT-323* Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323)* In addition to the features of regular digital transistor. VCE(sat)=40mV at IC/IB=50mA/2.5mA,makes these transist
dtc643tk.pdf
SMD Type TransistorsDigital TransistorsDTC643TK (KDTC643TK)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector Current Capability IC=600mA Collector Emitter Voltage VCEO=20V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.BaseC2.EmitterB3.collectorRER=4.7k Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit
chdtc643tkgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTC643TKGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 20 Volts CURRENT 600 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-23)SOT-23* In addition to the features of regular digital transistor. VCE(sat)=40mV at IC/IB=50mA/2.5mA,makes these transistors ideal fo
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: MH8211
History: MH8211
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050