DTD113ZUA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTD113ZUA

Маркировка: G21

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для DTD113ZUA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTD113ZUA даташит

 ..1. Size:145K  jiangsu
dtd113zua.pdfpdf_icon

DTD113ZUA

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Digital Transistors (Built-in Resistors) DTD113ZUA DIGITAL TRANSISTOR (NPN) FEATURES Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors(see equivalent circuit) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of

 6.1. Size:167K  diodes
ddtd113zu.pdfpdf_icon

DTD113ZUA

DDTD (xxxx) U NPN PRE-BIASED 500 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A SOT-323 Complementary PNP Types Available (DDTB) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors, R1, R2 A 0.25 0.40 Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 2) B 1.15 1.35 B C "Green" Device, Note 3 and 4 C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 Nominal E 0.

 6.2. Size:172K  chenmko
chdtd113zugp.pdfpdf_icon

DTD113ZUA

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD113ZUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) SC-70/SOT-323 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

 7.1. Size:64K  philips
pdtd113zt.pdfpdf_icon

DTD113ZUA

PDTD113ZT NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 k , R2 = 10 k Rev. 02 23 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN 500 mA Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PDTB113ZT. 1.2 Features Built-in bias resistors Reduces component count Simplifies circuit des

Другие транзисторы: DTC623TN3, DTC623TU, DTC643TU, DTC914TUB, DTC923TUB, DTC943TUB, DTD113ZN3, DTD113ZS, A1013, DTD114EA3, DTD114EN3, DTD114GK, DTD123TK, DTD143EN3, DTD143TK, DTD143TN3, DTDG14GP