Справочник транзисторов. DTD113ZUA

 

Биполярный транзистор DTD113ZUA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTD113ZUA
   Маркировка: G21
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SOT-323
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

DTD113ZUA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  jiangsu
dtd113zua.pdfpdf_icon

DTD113ZUA

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Digital Transistors (Built-in Resistors) DTD113ZUA DIGITAL TRANSISTOR (NPN) FEATURES Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors(see equivalent circuit) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of

 6.1. Size:167K  diodes
ddtd113zu.pdfpdf_icon

DTD113ZUA

DDTD (xxxx) U NPN PRE-BIASED 500 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A SOT-323 Complementary PNP Types Available (DDTB) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors, R1, R2 A 0.25 0.40 Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 2) B 1.15 1.35 B C "Green" Device, Note 3 and 4 C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 Nominal E 0.

 6.2. Size:172K  chenmko
chdtd113zugp.pdfpdf_icon

DTD113ZUA

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHDTD113ZUGPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323)SC-70/SOT-323* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation

 7.1. Size:64K  philips
pdtd113zt.pdfpdf_icon

DTD113ZUA

PDTD113ZTNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor;R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 02 23 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN 500 mA Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.PNP complement: PDTB113ZT.1.2 Features Built-in bias resistors Reduces component count Simplifies circuit des

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 2SC2210D | DTC115EE | RN1109FS | PBSS4240DPN

 

 
Back to Top

 


 
.