Биполярный транзистор DTD114EA3 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: DTD114EA3
Маркировка: D114E
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
Корпус транзистора: TO-92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
DTD114EA3 Datasheet (PDF)
dtd114ea3.pdf

Spec. No. : C377A3 Issued Date : 2003.10.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date :2004.03.03 Page No. : 1/4 NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) DTD114EA3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors wi
pdtd114et 4.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D088PDTD114ETNPN resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationNPN resistor-equipped transistor PDTD114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3handboo
pdtd114et 4.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D088PDTD114ETNPN resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationNPN resistor-equipped transistor PDTD114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3handboo
dtd114es dtd114ek.pdf

DTD114EK / DTD114ES Transistors 500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) DTD114EK / DTD114ES Applications External dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver 2.9 1.1DTD114EK0.4 0.8(3) Feature 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (2) (1)(see equivalent circui
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: 2SC895 | 3DD176 | STC405D | BU931R | MPS4121 | NSBA124EF3 | FE2916A
History: 2SC895 | 3DD176 | STC405D | BU931R | MPS4121 | NSBA124EF3 | FE2916A



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet