DTD123TK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTD123TK

Маркировка: F02

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-346

 Аналоги (замена) для DTD123TK

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTD123TK даташит

 ..1. Size:329K  rohm
 dtd123tk.pdf pdf_icon

DTD123TK

DTD123TK Datasheet NPN 500mA 40V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline SMT3 Parameter Value Collector VCEO 40V Base IC 500mA Emitter R 2.2kW DTD123TK SOT-346 (SC-59) lFeatures lInner circuit 1) Built-In Biasing Resistors 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (

 0.1. Size:120K  nxp
 pdtd123tk pdtd123ts.pdf pdf_icon

DTD123TK

PDTD123T series NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = open Rev. 03 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA JEDEC PDTD123TK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB123TK PDTD123TS[1] SOT54 SC-43A TO-92 PD

 0.2. Size:103K  chenmko
 chdtd123tkgp.pdf pdf_icon

DTD123TK

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTD123TKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 500 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil

 7.1. Size:121K  nxp
 pdtd123t.pdf pdf_icon

DTD123TK

PDTD123T series NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = open Rev. 03 16 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement NXP JEITA JEDEC PDTD123TK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB123TK PDTD123TS[1] SOT54 SC-43A TO-92 PD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DTC923TUB, DTC943TUB, DTD113ZN3, DTD113ZS, DTD113ZUA, DTD114EA3, DTD114EN3, DTD114GK, D880, DTD143EN3, DTD143TK, DTD143TN3, DTDG14GP, EMA3, EMA4, EMA5, EMB10