EMB11FHA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMB11FHA

Маркировка: B11

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMB11FHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMB11FHA даташит

 ..1. Size:1340K  rohm
 emb11fha.pdf pdf_icon

EMB11FHA

EMB11FHA / UMB11NFHA / IMB11AFRA EMB11 / UMB11N / IMB11A Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCC -50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R1 10kW EMB11 UMB11N EMB11FHA UMB11NFHA R2 10kW (SC-107C) SOT-353 (S

 ..2. Size:1340K  rohm
 emb11fha umb11nfha imb11afra.pdf pdf_icon

EMB11FHA

EMB11FHA / UMB11NFHA / IMB11AFRA EMB11 / UMB11N / IMB11A Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCC -50V (4) (4) (1) (1) (2) IC(MAX.) (2) -100mA (3) (3) R1 10kW EMB11 UMB11N EMB11FHA UMB11NFHA R2 10kW (SC-107C) SOT-353 (S

 9.1. Size:137K  philips
 pemb11 pumb11.pdf pdf_icon

EMB11FHA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMB11; PUMB11 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = 10 k Product data sheet 2003 Oct 03 Supersedes data of 2001 Sep 13 NXP Semiconductors Product data sheet PNP/PNP resistor-equipped transistors; PEMB11; PUMB11 R1 = 10 k , R2 = 10 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. U

 9.2. Size:69K  rohm
 emb11 umb11n imb11a umb11n.pdf pdf_icon

EMB11FHA

EMB11 / UMB11N / IMB11A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB11 / UMB11N / IMB11A Features External dimensions (Unit mm) 1) Two DTA114E chips in a EMT or UMT or SMT EMB11 package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 (4) (3) (5) (2) automatic mounting machines. (6) (1) 1.2 1.6 3) Transistor elements are independent, eliminating inte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DTD143TN3, DTDG14GP, EMA3, EMA4, EMA5, EMB10, EMB10FHA, EMB11, 2SC2240, EMB2, EMC3DXV5T1G, EMC3DXV5T5G, EMC4DXV5, EMC4DXV5T1G, EMC5DXV5, EMC5DXV5T1G, EMD12