EMD2FHA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMD2FHA

Маркировка: D2

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMD2FHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMD2FHA даташит

 ..1. Size:1401K  rohm
 emd2fha umd2nfha.pdf pdf_icon

EMD2FHA

EMD2FHA / UMD2NFHA / IMD2AFRA EMD2 / UMD2N / IMD2A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 22kW EMD2 UMD2N EMD2FHA UMD2NFHA (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 22kW SMT6 (4)

 ..2. Size:1439K  rohm
 emd2fha umd2nfha imd2afra.pdf pdf_icon

EMD2FHA

EMD2FHA / UMD2NFHA / IMD2AFRA EMD2 / UMD2N / IMD2A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 22kW EMD2 UMD2N EMD2FHA UMD2NFHA (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 22kW SMT6 (4)

Другие транзисторы: EMC5DXV5, EMC5DXV5T1G, EMD12, EMD12FHA, EMD2, EMD22, EMD22FHA, EMD29, MJE350, EMD3, EMD30, EMD38, EMD3FHA, EMD4, EMD4DXV6T1G, EMD4DXV6T5G, EMD5