Справочник транзисторов. EMD2FHA

 

Биполярный транзистор EMD2FHA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: EMD2FHA
   Маркировка: D2
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMD2FHA

 

 

EMD2FHA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1401K  rohm
emd2fha umd2nfha.pdf

EMD2FHA
EMD2FHA

EMD2FHA / UMD2NFHA / IMD2AFRAEMD2 / UMD2N / IMD2ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6) (5) (5) (4) (4)VCC50V(1)(1) (2)IC(MAX.)100mA (2) (3) (3)R122kWEMD2UMD2NEMD2FHA UMD2NFHA(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)22kWSMT6(4)

 ..2. Size:1439K  rohm
emd2fha umd2nfha imd2afra.pdf

EMD2FHA
EMD2FHA

EMD2FHA / UMD2NFHA / IMD2AFRAEMD2 / UMD2N / IMD2ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6) (5) (5) (4) (4)VCC50V(1)(1) (2)IC(MAX.)100mA (2) (3) (3)R122kWEMD2UMD2NEMD2FHA UMD2NFHA(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)22kWSMT6(4)

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top