Справочник транзисторов. EMD2FHA

 

Биполярный транзистор EMD2FHA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EMD2FHA
   Маркировка: D2
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SC-107C
 

 Аналог (замена) для EMD2FHA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMD2FHA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1401K  rohm
emd2fha umd2nfha.pdfpdf_icon

EMD2FHA

EMD2FHA / UMD2NFHA / IMD2AFRAEMD2 / UMD2N / IMD2ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6) (5) (5) (4) (4)VCC50V(1)(1) (2)IC(MAX.)100mA (2) (3) (3)R122kWEMD2UMD2NEMD2FHA UMD2NFHA(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)22kWSMT6(4)

 ..2. Size:1439K  rohm
emd2fha umd2nfha imd2afra.pdfpdf_icon

EMD2FHA

EMD2FHA / UMD2NFHA / IMD2AFRAEMD2 / UMD2N / IMD2ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6) (5) (5) (4) (4)VCC50V(1)(1) (2)IC(MAX.)100mA (2) (3) (3)R122kWEMD2UMD2NEMD2FHA UMD2NFHA(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)22kWSMT6(4)

Другие транзисторы... EMC5DXV5 , EMC5DXV5T1G , EMD12 , EMD12FHA , EMD2 , EMD22 , EMD22FHA , EMD29 , 2SC5198 , EMD3 , EMD30 , EMD38 , EMD3FHA , EMD4 , EMD4DXV6T1G , EMD4DXV6T5G , EMD5 .

History: EMF5XV6T5G | ECG75 | 2N745 | EMG6

 

 
Back to Top

 


 
.