Биполярный транзистор EMD4DXV6T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: EMD4DXV6T1G
Маркировка: U7
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.357 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT-563
Аналоги (замена) для EMD4DXV6T1G
EMD4DXV6T1G Datasheet (PDF)
emd4dxv6t1g emd4dxv6t5g.pdf
EMD4DXV6Dual Bias ResistorTransistorsNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic BiasResistor Networkhttp://onsemi.comThe BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with(3) (2) (1)a monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseresistor and a base-emitter resistor. These digital transistors areR1 R2designed to replace
nsvemd4dxv6t5g.pdf
EMD4DXV6Dual Bias ResistorTransistorsNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic BiasResistor Networkhttp://onsemi.comThe BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with(3) (2) (1)a monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseresistor and a base-emitter resistor. These digital transistors areR1 R2designed to replace
emd4dxv6-d.pdf
EMD4DXV6T1,EMD4DXV6T5Preferred DevicesDual Bias ResistorTransistorsNPN and PNP Silicon Surface Mounthttp://onsemi.comTransistors with Monolithic BiasResistor Network(3) (2) (1)The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor withR1 R2a monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseQ1resistor and a base-emitter resistor. These digita
emd4dxv6.pdf
DATA SHEETwww.onsemi.comDual Bias Resistor (3) (2) (1)Transistors R1 R2Q1NPN and PNP Silicon Surface MountQ2Transistors with Monolithic BiasR2 R1Resistor Network(4) (5) (6)EMD4DXV6The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with6a monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseresistor and a base-emitter resistor. These digita
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050