EMD53 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMD53

Маркировка: D53

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMD53

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMD53 даташит

 ..1. Size:985K  rohm
 emd53.pdf pdf_icon

EMD53

EMD53 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value EMT6 VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 10k EMD53 R2 (SC-107C) 10k Parameter Value VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 10k R2 10k lFeatures lInner circuit l l

Другие транзисторы: EMD30, EMD38, EMD3FHA, EMD4, EMD4DXV6T1G, EMD4DXV6T5G, EMD5, EMD52, BC547, EMD59, EMD5DXV6, EMD5DXV6T5G, EMD6, EMD62, EMD6FHA, EMD72, EMD9