Справочник транзисторов. EMD59

 

Биполярный транзистор EMD59 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: EMD59
   Маркировка: D59
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMD59

 

 

EMD59 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  rohm
emd59.pdf

EMD59
EMD59

EMD59DatasheetComplex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter Value EMT6VCC50VIC(MAX.)100mA R110kEMD59R2 (SC-107C)47k Parameter ValueVCC-50VIC(MAX.)-100mAR110kR247klFeatures lInner circuitl l

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top