EMD6FHA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMD6FHA

Маркировка: D6

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMD6FHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMD6FHA даташит

 ..1. Size:1274K  rohm
 emd6fha umd6nfha.pdf pdf_icon

EMD6FHA

EMD6 / UMD6N / IMD6A EMD6FHA / UMD6NFHA / IMD6AFRA Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) VCEO 50V (4) (4) (1) (1) IC (2) (2) 100mA (3) (3) R1 4.7kW EMD6FHA UMD6NFHA EMD6 UMD6N (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6

 ..2. Size:1314K  rohm
 emd6fha umd6nfha imd6afra.pdf pdf_icon

EMD6FHA

EMD6 / UMD6N / IMD6A EMD6FHA / UMD6NFHA / IMD6AFRA Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) VCEO 50V (4) (4) (1) (1) IC (2) (2) 100mA (3) (3) R1 4.7kW EMD6FHA UMD6NFHA EMD6 UMD6N (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6

Другие транзисторы: EMD5, EMD52, EMD53, EMD59, EMD5DXV6, EMD5DXV6T5G, EMD6, EMD62, 2N5551, EMD72, EMD9, EMD9FHA, EMF18XV6, EMF18XV6T5, EMF18XV6T5G, EMF5XV6, EMF5XV6T5G