EMH1FHA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMH1FHA

Маркировка: H1

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMH1FHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMH1FHA даташит

 ..1. Size:1293K  rohm
 emh1fha umh1nfha.pdf pdf_icon

EMH1FHA

EMH1FHA / UMH1NFHA / IMH1AFRA EMH1 / UMH1N / IMH1A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCC (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R1 22kW EMH1 UMH1N EMH1FHA UMH1NFHA R2 (SC-107C) 22kW SOT-353 (SC-88) SMT6 (

 ..2. Size:1337K  rohm
 emh1fha umh1nfha imh1afra.pdf pdf_icon

EMH1FHA

EMH1FHA / UMH1NFHA / IMH1AFRA EMH1 / UMH1N / IMH1A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCC (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) (2) 100mA (2) (3) (3) R1 22kW EMH1 UMH1N EMH1FHA UMH1NFHA R2 (SC-107C) 22kW SOT-353 (SC-88) SMT6 (

Другие транзисторы: EMG9, EMH1, EMH10, EMH10FHA, EMH11, EMH11FHA, EMH15, EMH15FHA, 2SD1047, EMH2, EMH25, EMH2FHA, EMH3, EMH3FHA, EMH4, EMH4FHA, EMH51