EMH53 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMH53

Маркировка: H53

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMH53

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMH53 даташит

 ..1. Size:680K  rohm
 emh53.pdf pdf_icon

EMH53

EMH53 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCEO 50V IC 100mA R1 4.7k EMH53 (SC-107C) lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTC043T chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminating inte

Другие транзисторы: EMH25, EMH2FHA, EMH3, EMH3FHA, EMH4, EMH4FHA, EMH51, EMH52, A940, EMH59, EMH6, EMH60, EMH61, EMH6FHA, EMH75, EMH9, EMH9FHA