Справочник транзисторов. EMH6FHA

 

Биполярный транзистор EMH6FHA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: EMH6FHA
   Маркировка: H6
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMH6FHA

 

 

EMH6FHA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1288K  rohm
emh6fha umh6nfha.pdf

EMH6FHA
EMH6FHA

EMH6FHA / UMH6NFHA / IMH6AFRAEMH6 / UMH6N / IMH6ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCC50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.)100mA (2) (2) (3) (3) R147kWEMH6 UMH6N EMH6FHA UMH6NFHAR247kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6

 ..2. Size:1331K  rohm
emh6fha umh6nfha imh6afra.pdf

EMH6FHA
EMH6FHA

EMH6FHA / UMH6NFHA / IMH6AFRAEMH6 / UMH6N / IMH6ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCC50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.)100mA (2) (2) (3) (3) R147kWEMH6 UMH6N EMH6FHA UMH6NFHAR247kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top