Справочник транзисторов. FB1A4M

 

Биполярный транзистор FB1A4M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FB1A4M
   Маркировка: P35
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
   Корпус транзистора: SC-59
 

 Аналог (замена) для FB1A4M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FB1A4M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:450K  renesas
 fb1a3m fb1a4a fb1a4m fb1f3p fb1j3p fb1l2q fb1l3n.pdf pdf_icon

FB1A4M

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие транзисторы... FA4L3N , FA4L3Z , FA4L4K , FA4L4L , FA4L4M , FA4L4Z , FB1A3M , FB1A4A , TIP2955 , FB1F3P , FB1J3P , FB1L2Q , FB1L3N , FN4A3Q , FN4A4L , FN4A4M , FN4A4P .

History: BCW10 | 2N722 | 2SC3993K

 

 
Back to Top

 


 
.