FB1J3P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FB1J3P

Маркировка: P36

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 3.3 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.33

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135

Корпус транзистора: SC-59

 Аналоги (замена) для FB1J3P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FB1J3P даташит

 ..1. Size:450K  renesas
 fb1a3m fb1a4a fb1a4m fb1f3p fb1j3p fb1l2q fb1l3n.pdf pdf_icon

FB1J3P

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие транзисторы: FA4L4K, FA4L4L, FA4L4M, FA4L4Z, FB1A3M, FB1A4A, FB1A4M, FB1F3P, BC549, FB1L2Q, FB1L3N, FN4A3Q, FN4A4L, FN4A4M, FN4A4P, FN4A4Z, FN4F3M