Биполярный транзистор GA4L4M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: GA4L4M
Маркировка: AC1
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора: SC-70
GA4L4M Datasheet (PDF)
..1. Size:514K renesas
ga4a3q ga4a4l ga4a4m ga4a4p ga4a4z ga4f3m ga4f3p ga4f3r ga4f4m ga4f4n ga4f4z ga4l3m ga4l3n ga4l3z ga4l4k ga4l4l ga4l4m ga4l4z.pdf
ga4a3q ga4a4l ga4a4m ga4a4p ga4a4z ga4f3m ga4f3p ga4f3r ga4f4m ga4f4n ga4f4z ga4l3m ga4l3n ga4l3z ga4l4k ga4l4l ga4l4m ga4l4z.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: MUN2231LT1 | TN3444 | 2SAR544R
History: MUN2231LT1 | TN3444 | 2SAR544R
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050