Биполярный транзистор GN4F3M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: GN4F3M
Маркировка: NP1
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
Корпус транзистора: SC-70
GN4F3M Datasheet (PDF)
..1. Size:523K renesas
gn4a3q gn4a4l gn4a4m gn4a4p gn4a4z gn4f3m gn4f3p gn4f3r gn4f4m gn4f4n gn4f4z gn4l3m gn4l3n gn4l3z gn4l4k gn4l4l gn4l4m gn4l4z.pdf
gn4a3q gn4a4l gn4a4m gn4a4p gn4a4z gn4f3m gn4f3p gn4f3r gn4f4m gn4f4n gn4f4z gn4l3m gn4l3n gn4l3z gn4l4k gn4l4l gn4l4m gn4l4z.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050