HBC114YC6. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HBC114YC6
Маркировка: 8D
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68
Корпус транзистора: SOT-563
Аналоги (замена) для HBC114YC6
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HBC114YC6 даташит
hbc114yc6.pdf
Spec. No. C355C6 Issued Date 2012.07.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 Dual NPN Digital Transistors HBC114YC6 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allo
hbc114ys6r.pdf
Spec. No. C355S6R Issued Date 2003.05.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.02.22 Page No. 1/6 Dual NPN Digital Transistors HBC114YS6R Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isol
hbc114ys5.pdf
Spec. No. C355S5 Issued Date 2011.11.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 Dual NPN Digital Transistors HBC114YS5 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allo
hbc114es6r.pdf
Spec. No. C351S6R Issued Date 2003.05.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.02.21 Page No. 1/6 Dual NPN Digital Transistors HBC114ES6R Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete is
Другие транзисторы: HBA114ES6R, HBA114TS6R, HBA143ES6R, HBA143TS6R, HBA143ZS6R, HBA144ES6R, HBC114ES6R, HBC114TS6R, BD135, HBC114YS5, HBC114YS6R, HBC123JS6R, HBC124ES6R, HBC124XS6R, HBC143EC6, HBC143ES6R, HBC143TS6R
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet





