Биполярный транзистор HBC114YS5 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HBC114YS5
Маркировка: G5
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
Корпус транзистора: SOT-353
Аналоги (замена) для HBC114YS5
HBC114YS5 Datasheet (PDF)
hbc114ys5.pdf
Spec. No. : C355S5 Issued Date : 2011.11.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 Dual NPN Digital Transistors HBC114YS5 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allo
hbc114ys6r.pdf
Spec. No. : C355S6R Issued Date : 2003.05.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.22 Page No. : 1/6 Dual NPN Digital Transistors HBC114YS6R Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isol
hbc114yc6.pdf
Spec. No. : C355C6 Issued Date : 2012.07.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 Dual NPN Digital Transistors HBC114YC6 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allo
hbc114es6r.pdf
Spec. No. : C351S6R Issued Date : 2003.05.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.21 Page No. : 1/6 Dual NPN Digital Transistors HBC114ES6R Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete is
hbc114ts6r.pdf
Spec. No. : C353S6R Issued Date : 2003.05.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.22 Page No. : 1/6 Dual NPN Digital Transistors HBC114TS6R Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isol
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050