HD2L3N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HD2L3N

Маркировка: LC

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для HD2L3N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HD2L3N даташит

 ..1. Size:317K  renesas
 hd2a3m hd2a4a hd2a4m hd2f2q hd2f3p hd2l2q hd2l3n.pdf pdf_icon

HD2L3N

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие транзисторы: HD1L2Q, HD1L3N, HD2A3M, HD2A4A, HD2A4M, HD2F2Q, HD2F3P, HD2L2Q, BC639, HE1A4A, LDTA113TKT1G, LDTA113ZET1G, LDTA114EM3T5G, LDTA114GET1G, LDTA114TM3T5G, LDTA114WET1G, LDTA114YM3T5G