LDTA113TKT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LDTA113TKT1G  📄📄 

Маркировка: O2

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для LDTA113TKT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LDTA113TKT1G даташит

 ..1. Size:268K  lrc
ldta113tkt1g.pdfpdf_icon

LDTA113TKT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor LDTA113TKT1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1 resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist

 7.1. Size:306K  lrc
ldta113zet1g.pdfpdf_icon

LDTA113TKT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor LDTA113ZET1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1 resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist

 8.1. Size:770K  lrc
ldta114eet1g ldta114tet1g ldta124xet1g ldta143eet1g ldta144eet1g.pdfpdf_icon

LDTA113TKT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistors LDTC114EET1G Series S-LDTC114EET1G Series NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network cons

 8.2. Size:496K  lrc
ldta114get1g.pdfpdf_icon

LDTA113TKT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor LDTA114GET1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1 resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist

Другие транзисторы: HD2A3M, HD2A4A, HD2A4M, HD2F2Q, HD2F3P, HD2L2Q, HD2L3N, HE1A4A, 2SC2383, LDTA113ZET1G, LDTA114EM3T5G, LDTA114GET1G, LDTA114TM3T5G, LDTA114WET1G, LDTA114YM3T5G, LDTA115EM3T5G, LDTA115GET1G