LDTA114WET1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LDTA114WET1G

Маркировка: L6

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 24

Корпус транзистора: SC-89

 Аналоги (замена) для LDTA114WET1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LDTA114WET1G даташит

 ..1. Size:225K  lrc
 ldta114wet1g.pdf pdf_icon

LDTA114WET1G

 7.1. Size:770K  lrc
 ldta114eet1g ldta114tet1g ldta124xet1g ldta143eet1g ldta144eet1g.pdf pdf_icon

LDTA114WET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistors LDTC114EET1G Series S-LDTC114EET1G Series NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network cons

 7.2. Size:496K  lrc
 ldta114get1g.pdf pdf_icon

LDTA114WET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor LDTA114GET1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1 resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist

 7.3. Size:768K  lrc
 ldta114eet1g ldta124eet1g ldta144eet1g ldta114yet1g ldta114tet1g ldta143tet1g ldta123eet1g ldta143eet1g ldta143zet1g ldta124xet1g ldta123jet1g ldta115eet1g ldta144wet1g.pdf pdf_icon

LDTA114WET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistors LDTA114EET1G Series PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: HD2L2Q, HD2L3N, HE1A4A, LDTA113TKT1G, LDTA113ZET1G, LDTA114EM3T5G, LDTA114GET1G, LDTA114TM3T5G, 2SC828, LDTA114YM3T5G, LDTA115EM3T5G, LDTA115GET1G, LDTA115TET1G, LDTA123EM3T5G, LDTA123JM3T5G, LDTA123YET1G, LDTA124EM3T5G