LDTB113ZET1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LDTB113ZET1G

Маркировка: K8

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SC-89

 Аналоги (замена) для LDTB113ZET1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LDTB113ZET1G даташит

 ..1. Size:263K  lrc
 ldtb113zet1g.pdf pdf_icon

LDTB113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor LDTB113ZET1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1 resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist

 7.1. Size:261K  lrc
 ldtb113eet1g.pdf pdf_icon

LDTB113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor LDTB113EET1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1 resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist

 8.1. Size:297K  lrc
 ldtb114gkt1g.pdf pdf_icon

LDTB113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor LDTB114GKT1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an 1 inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consis

 8.2. Size:308K  lrc
 ldtb114eet1g.pdf pdf_icon

LDTB113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor LDTB114EET1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an 1 inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consis

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LDTA143TM3T5G, LDTA143XET1G, LDTA143ZM3T5G, LDTA144EM3T5G, LDTA144GET1G, LDTA144TET1G, LDTA144VET1G, LDTB113EET1G, C1815, LDTB114EET1G, LDTB114GKT1G, LDTB114TKT1G, LDTB123EET1G, LDTB123TET1G, LDTB123YET1G, LDTB143EET1G, LDTB143TKT1G