LDTC114WET1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LDTC114WET1G

Маркировка: M4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 24

Корпус транзистора: SC-89

 Аналоги (замена) для LDTC114WET1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LDTC114WET1G даташит

 ..1. Size:420K  lrc
 ldtc114wet1g.pdf pdf_icon

LDTC114WET1G

 7.1. Size:325K  lrc
 ldtc114get1g.pdf pdf_icon

LDTC114WET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTC114GET1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1 resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist

 7.2. Size:467K  lrc
 ldtc114em3t5g.pdf pdf_icon

LDTC114WET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors LDTC114EM3T5G With Monolithic Bias Resistor Network Series This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor 3 Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resi

 7.3. Size:545K  lrc
 ldtc114em3t5g ldtc124em3t5g ldtc144em3t5g ldtc114ym3t5g ldtc114tm3t5g ldtc143tm3t5g ldtc123em3t5g ldtc143em3t5g ldtc143zm3t5g ldtc124xm3t5g ldtc123jm3t5g ldtc115em3t5g ldtc144wm3t5g ldtc144tm3t5g.pdf pdf_icon

LDTC114WET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors Series LDTC114EM3T5G LDTC114EM3T5G S-LDTC114EM3T5G Series With Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LDTB143TKT1G, LDTBG12GPT1G, LDTC113ZET1G, LDTC114EET1G, LDTC114EM3T5G, LDTC114GET1G, LDTC114TET1G, LDTC114TM3T5G, TIP42C, LDTC114YET1G, LDTC114YM3T5G, LDTC115EET1G, LDTC115EM3T5G, LDTC115GET1G, LDTC115TET1G, LDTC123EET1G, LDTC123EM3T5G