LDTC143XET1G - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор LDTC143XET1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: LDTC143XET1G
   Маркировка: M1
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SC-89

Аналоги (замена) для LDTC143XET1G

LDTC143XET1G Datasheet (PDF)

..1. Size:272K lrc
ldtc143xet1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Bias Resistor TransistorNPN Silicon Surface Mount TransistorLDTC143XET1Gwith Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1resistors (see equivalent circuit). 22) The bias resistors consist

7.1. Size:545K lrc
ldtc114em3t5g ldtc124em3t5g ldtc144em3t5g ldtc114ym3t5g ldtc114tm3t5g ldtc143tm3t5g ldtc123em3t5g ldtc143em3t5g ldtc143zm3t5g ldtc124xm3t5g ldtc123jm3t5g ldtc115em3t5g ldtc144wm3t5g ldtc144tm3t5g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Bias Resistor TransistorsNPN Silicon Surface Mount TransistorsSeriesLDTC114EM3T5GLDTC114EM3T5GS-LDTC114EM3T5G SeriesWith Monolithic Bias Resistor NetworkThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The BRT (Bias ResistorTransistor) contains a single transistor with a monolithic

7.2. Size:545K lrc
ldtc114em3t5g ldtc124em3t5g ldtc144em3t5g ldtc114ym3t5g ldtc114tm3t5g ldtc143tm3t5g ldtc123em3t5g.pdf