LDTD113ZET1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LDTD113ZET1G

Маркировка: E8

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SC-89

 Аналоги (замена) для LDTD113ZET1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LDTD113ZET1G даташит

 ..1. Size:357K  lrc
 ldtd113zet1g.pdf pdf_icon

LDTD113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTD113ZET1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1 resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist

 7.1. Size:350K  lrc
 ldtd113eet1g.pdf pdf_icon

LDTD113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTD113EET1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1 resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist

 8.1. Size:345K  lrc
 ldtd114eet1g.pdf pdf_icon

LDTD113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTD114EET1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1 resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist

 8.2. Size:314K  lrc
 ldtd114gkt1g.pdf pdf_icon

LDTD113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTD114GKT1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1 resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LDTC144EET1G, LDTC144EM3T5G, LDTC144GET1G, LDTC144TET1G, LDTC144TM3T5G, LDTC144VET1G, LDTC144WET1G, LDTD113EET1G, C3198, LDTD114EET1G, LDTD114GKT1G, LDTD123EET1G, LDTD123TET1G, LDTD123YET1G, LDTD143EET1G, LDTD143TKT1G, LDTDG12GPT1G