Справочник транзисторов. LDTD113ZET1G

 

Биполярный транзистор LDTD113ZET1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: LDTD113ZET1G
   Маркировка: E8
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
   Корпус транзистора: SC-89

 Аналоги (замена) для LDTD113ZET1G

 

 

LDTD113ZET1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  lrc
ldtd113zet1g.pdf

LDTD113ZET1G
LDTD113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Bias Resistor TransistorNPN Silicon Surface Mount TransistorLDTD113ZET1Gwith Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1resistors (see equivalent circuit). 22) The bias resistors consist

 7.1. Size:350K  lrc
ldtd113eet1g.pdf

LDTD113ZET1G
LDTD113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Bias Resistor TransistorNPN Silicon Surface Mount TransistorLDTD113EET1Gwith Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1resistors (see equivalent circuit). 22) The bias resistors consist

 8.1. Size:345K  lrc
ldtd114eet1g.pdf

LDTD113ZET1G
LDTD113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Bias Resistor TransistorNPN Silicon Surface Mount TransistorLDTD114EET1Gwith Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1resistors (see equivalent circuit). 22) The bias resistors consist

 8.2. Size:314K  lrc
ldtd114gkt1g.pdf

LDTD113ZET1G
LDTD113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Bias Resistor TransistorNPN Silicon Surface Mount TransistorLDTD114GKT1Gwith Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1resistors (see equivalent circuit). 22) The bias resistors consist

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top