LDTD123YET1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LDTD123YET1G
Маркировка: E9
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56
Корпус транзистора: SC-89
Аналоги (замена) для LDTD123YET1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LDTD123YET1G даташит
ldtd123yet1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTD123YET1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1 resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist
ldtd123ylt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTD123YLT1G with Monolithic Bias Resistor Network S-LDTD123YLT1G Applications Inverter, Interface, Driver Features 3 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 1 2) The bias res
ldtd123ylt1g ldtd123ylt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTD123YLT1G with Monolithic Bias Resistor Network S-LDTD123YLT1G Applications Inverter, Interface, Driver Features 3 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 1 2) The bias res
ldtd123tet1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTD123TET1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1 resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist
Другие транзисторы: LDTC144VET1G, LDTC144WET1G, LDTD113EET1G, LDTD113ZET1G, LDTD114EET1G, LDTD114GKT1G, LDTD123EET1G, LDTD123TET1G, 2SC2655, LDTD143EET1G, LDTD143TKT1G, LDTDG12GPT1G, LMUN2111LT1G, LMUN2112LT1G, LMUN2113LT1G, LMUN2114LT1G, LMUN2115LT1G
History: GES5818 | FMMT5209 | KT8143K | FCS9017 | DTA144EM3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor





