LUMG3NT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LUMG3NT1G
Маркировка: TR
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SC-88A
Аналоги (замена) для LUMG3NT1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LUMG3NT1G даташит
lumg3nt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual NPN Digital Transistor Pb-Free Package is Available. Ordering Information LUMG3NT1G Device Marking Shipping S-LUMG3NT1G LUMG3NT1G 3000/Tape&Reel TR S-LUMG3NT1G LUMG3NT3G 10000/Tape&Reel TR S-LUMG3NT3G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage V CEO 50 Vdc SC-88A Collector Base Voltage V CBO 50
Другие транзисторы: LMUN5237DW1T1G, LMUN5237T1G, LRX102UT1G, LUMA5NT1G, LUMC3NT1G, LUMF23NDW1T1G, LUMG10NT1G, LUMG2NT1G, 2SB817, EMA8, KSR1201, KSR1202, KSR1203, KSR1204, KSR1205, KSR1206, KSR1207
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680

