KSR1209. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KSR1209

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для KSR1209

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR1209 даташит

 ..1. Size:35K  samsung
 ksr1209.pdf pdf_icon

KSR1209

KSR1209 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=4.7 ) Complement to KSR2209 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Emitter-Base Volt

 8.1. Size:41K  samsung
 ksr1207.pdf pdf_icon

KSR1209

KSR1207 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =22 , R2=47 ) Complement to KSR2207 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter-

 8.2. Size:41K  samsung
 ksr1208.pdf pdf_icon

KSR1209

KSR1208 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =47 , R2=22 ) Complement to KSR2208 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter-

 8.3. Size:40K  samsung
 ksr1201.pdf pdf_icon

KSR1209

KSR1201 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7 , R2=4.7 ) Complement to KSR2201 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter-Bas

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSR1201, KSR1202, KSR1203, KSR1204, KSR1205, KSR1206, KSR1207, KSR1208, D965, KSR1210, KSR1211, KSR1212, KSR1213, KSR1214, KSR2201, KSR2202, KSR2203