KSR1212. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KSR1212

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для KSR1212

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR1212 даташит

 ..1. Size:18K  samsung
 ksr1212.pdf pdf_icon

KSR1212

KSR1212 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47 ) Complement to KSR2212 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Emitter-Base Volta

 8.1. Size:35K  samsung
 ksr1210.pdf pdf_icon

KSR1212

KSR1210 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10 ) Complement to KSR2210 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Emitter-Base Volta

 8.2. Size:19K  samsung
 ksr1213.pdf pdf_icon

KSR1212

KSR1213 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =2.2 , R2=47 ) Complement to KSR2213 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter-Base

 8.3. Size:19K  samsung
 ksr1214.pdf pdf_icon

KSR1212

KSR1214 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7 , R2=47 ) Complement to KSR2214 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter-Base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSR1204, KSR1205, KSR1206, KSR1207, KSR1208, KSR1209, KSR1210, KSR1211, BC549, KSR1213, KSR1214, KSR2201, KSR2202, KSR2203, KSR2204, KSR2205, KSR2206