Справочник транзисторов. KSR1212

 

Биполярный транзистор KSR1212 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSR1212
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92S
 

 Аналог (замена) для KSR1212

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR1212 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:18K  samsung
 ksr1212.pdf pdf_icon

KSR1212

KSR1212 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47 ) Complement to KSR2212ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitVCollector-Base Voltage VCBO 40VCollector-Emitter Voltage VCEO 40VEmitter-Base Volta

 8.1. Size:35K  samsung
 ksr1210.pdf pdf_icon

KSR1212

KSR1210 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10 ) Complement to KSR2210ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitVCollector-Base Voltage VCBO 40VCollector-Emitter Voltage VCEO 40VEmitter-Base Volta

 8.2. Size:19K  samsung
 ksr1213.pdf pdf_icon

KSR1212

KSR1213 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =2.2 , R2=47 ) Complement to KSR2213ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter-Base

 8.3. Size:19K  samsung
 ksr1214.pdf pdf_icon

KSR1212

KSR1214 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7 , R2=47 ) Complement to KSR2214ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter-Base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KSR1204 , KSR1205 , KSR1206 , KSR1207 , KSR1208 , KSR1209 , KSR1210 , KSR1211 , 2222A , KSR1213 , KSR1214 , KSR2201 , KSR2202 , KSR2203 , KSR2204 , KSR2205 , KSR2206 .

History: 2SC515 | DMBT5551 | MMUN2232L | KT218E9 | 2SA2025 | LMBT3904TT3G

 

 
Back to Top

 


 
.