KSR2209. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KSR2209

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для KSR2209

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR2209 даташит

 ..1. Size:34K  samsung
 ksr2209.pdf pdf_icon

KSR2209

KSR2209 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=4.7 ) Complement to KSR1209 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base Voltage

 8.1. Size:40K  samsung
 ksr2204.pdf pdf_icon

KSR2209

KSR2204 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =47, R2=47 ) Complement to KSR1204 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Base

 8.2. Size:39K  samsung
 ksr2207.pdf pdf_icon

KSR2209

KSR2207 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit TO-92S Built in bias Resistor (R1=22, R2=47 ) Complement to KSR1207 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Base V

 8.3. Size:39K  samsung
 ksr2206.pdf pdf_icon

KSR2209

KSR2206 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =10, R2=47 ) Complement to KSR1206 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSR2201, KSR2202, KSR2203, KSR2204, KSR2205, KSR2206, KSR2207, KSR2208, 2SC828, KSR2210, KSR2211, KSR2212, KSR2213, KSR2214, M54513FP, M54513P, M54522FP