Справочник транзисторов. KSR2210

 

Биполярный транзистор KSR2210 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSR2210
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92S
 

 Аналог (замена) для KSR2210

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR2210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  samsung
 ksr2210.pdf pdf_icon

KSR2210

KSR2210 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit TO-92S Built in bias Resistor (R=10 ) Complement to KSR1210ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -40 VEmitter-Base Voltage V

 8.1. Size:17K  samsung
 ksr2212.pdf pdf_icon

KSR2210

KSR2212 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47 ) Complement to KSR1212ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -40 VEmitter-Base Voltage

 8.2. Size:17K  samsung
 ksr2211.pdf pdf_icon

KSR2210

KSR2211 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22 ) Complement to KSR1211ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -40 VEmitter-Base Voltage

 8.3. Size:19K  samsung
 ksr2214.pdf pdf_icon

KSR2210

KSR2214 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7, R2=47 ) Complement to KSR1214ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VCEO -50 VEmitter-Base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KSR2202 , KSR2203 , KSR2204 , KSR2205 , KSR2206 , KSR2207 , KSR2208 , KSR2209 , TIP32C , KSR2211 , KSR2212 , KSR2213 , KSR2214 , M54513FP , M54513P , M54522FP , MMBTRC101SS .

 

 
Back to Top

 


 
.