Биполярный транзистор KSR2210 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSR2210
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92S
KSR2210 Datasheet (PDF)
ksr2210.pdf
KSR2210 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit TO-92S Built in bias Resistor (R=10 ) Complement to KSR1210ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -40 VEmitter-Base Voltage V
ksr2212.pdf
KSR2212 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47 ) Complement to KSR1212ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -40 VEmitter-Base Voltage
ksr2211.pdf
KSR2211 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22 ) Complement to KSR1211ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -40 VEmitter-Base Voltage
ksr2214.pdf
KSR2214 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7, R2=47 ) Complement to KSR1214ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VCEO -50 VEmitter-Base
ksr2213.pdf
KSR2213 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2, R2=47 ) Complement to KSR1213ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VCEO -50 VEmitter-Base
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050