KSR2210. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KSR2210

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для KSR2210

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR2210 даташит

 ..1. Size:33K  samsung
 ksr2210.pdf pdf_icon

KSR2210

KSR2210 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit TO-92S Built in bias Resistor (R=10 ) Complement to KSR1210 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base Voltage V

 8.1. Size:17K  samsung
 ksr2212.pdf pdf_icon

KSR2210

KSR2212 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47 ) Complement to KSR1212 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base Voltage

 8.2. Size:17K  samsung
 ksr2211.pdf pdf_icon

KSR2210

KSR2211 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22 ) Complement to KSR1211 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base Voltage

 8.3. Size:19K  samsung
 ksr2214.pdf pdf_icon

KSR2210

KSR2214 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7, R2=47 ) Complement to KSR1214 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSR2202, KSR2203, KSR2204, KSR2205, KSR2206, KSR2207, KSR2208, KSR2209, 431, KSR2211, KSR2212, KSR2213, KSR2214, M54513FP, M54513P, M54522FP, MMBTRC101SS