Биполярный транзистор 2SA1050A Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SA1050A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора: TO3
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2SA1050A Datasheet (PDF)
2sa1050.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1050 DESCRIPTION With TO-3 package High transition frequency Excellent safe operating area APPLICATIONS For audio and general purpose power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=
2sa1050.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1050DESCRIPTIONHigh Current CapabilityCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -140V(Min.)(BR)CEOComplement to Type 2SC2460Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifer and general purposeapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA
2sa1052.pdf

2SA1052Silicon PNP EpitaxialApplicationLow frequency amplifierOutlineMPAK311. Emitter2. Base23. Collector2SA1052Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 30 VCollector to emitter voltage VCEO 30 VEmitter to base voltage VEBO 5 VCollector current IC 100 mAEmitter current IE 100 mACollector powe
2sa1051.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1051 DESCRIPTION With TO-3 package High transition frequency Excellent safe operating area APPLICATIONS For audio and general purpose power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=
Другие транзисторы... 2SA1048LY , 2SA1048O , 2SA1048Y , 2SA1049 , 2SA1049BL , 2SA1049GR , 2SA105 , 2SA1050 , BC558 , 2SA1051 , 2SA1051A , 2SA1052 , 2SA1052B , 2SA1052C , 2SA1052D , 2SA1053 , 2SA1054 .
History: 2N496 | 2SB920LS | 2N5606 | BC183K | 2SA512R | ME0401 | BC183CP
History: 2N496 | 2SB920LS | 2N5606 | BC183K | 2SA512R | ME0401 | BC183CP



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet